Hardware
KIOXIA, Sandisk e la nuova memoria flash 3D: più veloce, più efficiente, più potente
KIOXIA e Sandisk svelano la memoria flash 3D di 10a generazione con un’interfaccia NAND da 4,8 Gb/s, maggiore efficienza energetica e una densità di bit superiore del 59%. Una rivoluzione per AI, data center e cloud computing

KIOXIA Corporation e Sandisk Corporation hanno presentato una tecnologia di memoria flash 3D di 10a generazione, stabilendo un nuovo punto di riferimento in termini di prestazioni, efficienza energetica e densità di bit. La nuova soluzione raggiunge una velocità di interfaccia NAND senza precedenti di 4,8 Gb/s, segnando un importante progresso nel settore dello storage.
Innovazioni tecnologiche chiave: Toggle DDR6.0, SCA e PI-LTT
Presentata all’ISSCC 2025, la memoria flash 3D di nuova generazione sfrutta tecnologie all’avanguardia come Toggle DDR6.0, che migliora la trasmissione dei dati, il protocollo SCA (Separate Command Address) per ottimizzare la gestione degli input di comando e la tecnologia PI-LTT (Power Isolated Low-Tapped Termination), che riduce il consumo energetico. Grazie a queste innovazioni, la memoria flash 3D garantisce una maggiore efficienza operativa e consumi ridotti.
Velocità ed efficienza
Rispetto alla precedente generazione, questa nuova tecnologia offre:
- 33% di aumento della velocità dell’interfaccia NAND;
- 10% di riduzione del consumo energetico per l’input;
- 34% di riduzione del consumo energetico per l’output;
- 59% di miglioramento della densità di bit, grazie all’aumento a 332 strati di memoria. Questi miglioramenti rendono la memoria ideale per i data center, che necessitano di alte prestazioni con consumi ottimizzati.
L’intelligenza artificiale e il futuro dello storage
Axel Stoermann, Vice President e CTO di KIOXIA Europe GmbH, ha sottolineato che con la crescente diffusione dell’Intelligenza Artificiale (IA) e delle applicazioni basate su transfer learning, la domanda di maggiore velocità, capacità e ridotto consumo energetico sarà sempre più pressante. Alper Ilkbahar, SVP of Global Strategy and Technology di Sandisk, ha evidenziato come la tecnologia CMOS directly Bonded to Array (CBA) permetterà di offrire soluzioni ottimizzate per ogni segmento di mercato.
Prossime innovazioni: memoria flash 3D di 9a generazione
Oltre alla decima generazione, le aziende stanno già lavorando sulla memoria flash 3D di 9a generazione, che integrerà la tecnologia CBA per combinare innovativi circuiti CMOS con celle di memoria avanzate. Questa nuova generazione offrirà migliori prestazioni, minori costi operativi e un’efficienza energetica superiore, rispondendo alle crescenti esigenze del mercato dello storage.
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